常規規格｜支持定制
| 板料 mm （可以按需選擇厚度與長寬，支持定制） | ||||||||||||
| 厚度 L | 3 | 5 | 8 | 10 | 12 | 15 | 18 | 20 | 22 | 25 | 28 | 更多（支持定制） |
| 長*寬 W*H | 100*100 | 90*140 | 95*145 | 150*150 | 160*160 | 122*290 | 110*275 | ? | ? | ? | ? | 更多（支持定制） |
| 棒料 mm （可以按需選擇厚度與長寬，支持定制） | ||||||||||||
| 直徑? | 0.5 | 0.8 | 0.9 | 1 | 1.5 | 2 | 2.5 | 3 | 3.5 | 4 | 4.5 | 更多（支持定制） |
| 長度W | 60 | 100 | 120 | 200 | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | 更多（支持定制） |
特點
氮化鋁（Aluminum Nitride, AlN）是一種先進的陶瓷材料，因其出色的導熱性和電絕緣性而在高科技領域中非常重要。氮化鋁同時具有高機械強度和穩定的化學性質，使其成為電子和工業應用的理想選擇。
1. 優異的導熱性與電絕緣性
氮化鋁結合了非常高的導熱性和良好的電絕緣性，這使得它在需要高效散熱同時要求電氣隔離的應用中非常有價值。
- 高效散熱解決方案：氮化鋁的高導熱性使其成為高性能電子設備的理想散熱材料，如功率半導體、高密度集成電路和高頻電子組件。這些應用通常需要材料能夠快速有效地導出熱量，以防止由于過熱導致的性能下降或損壞。
- 電氣應用：在保持高導熱性的同時，氮化鋁還具備出色的電絕緣性。這一點對于如電力轉換設備和高壓電氣應用中的絕緣部件尤其重要，它們需要材料在不導電的情況下有效傳導熱量。
2. 與硅匹配的熱膨脹系數和優良的等離子體抗性
氮化鋁的熱膨脹系數與硅非常接近，這一特性以及它的等離子體抗性，使其在半導體制造中尤為重要。
- 半導體制造：由于氮化鋁的熱膨脹系數與硅相匹配，當用作半導體設備中的基板或熱界面材料時，可以最大程度減少由于溫度變化引起的熱應力。這對提高半導體器件的可靠性和性能至關重要。
- 耐等離子體性：在半導體加工過程中，部件經常需要承受嚴苛的等離子體環境，這可能會腐蝕或損壞一些較弱的材料。氮化鋁的優良等離子體抗性使其能夠在這些條件下保持性能和結構的穩定性。
氮化鋁的這些特點使其在現代高科技領域尤為重要，尤其是在高性能電子設備和半導體制造領域。它的優異物理性質不僅提升了設備的性能，還延長了產品的使用壽命，從而在各種高要求的工業應用中提供了可靠的材料解決方案。
主要特性
| 項目 | 單位 | 氮化鋁 |
| 材料 | \ | ALN |
| 顏色 | \ | 灰白色 |
| 密度 | g/cm3 | 3.3 |
機械特性
| 項目 | 單位 | 氮化鋁 |
| 抗彎強度(20℃) | Mpa | 470 |
| 抗壓強度(20℃) | Mpa | 2100 |
| 彈性模量(20℃) | Gpa | 320 |
| 斷裂韌性(20℃) | MPam? | 2.6 |
| 維泊爾系數(20℃) | \ | |
| 硬度(20℃) | HRA | 87 |
| 維氏硬度(HV1) | Gpa(kg/mm2) | 1122 |
| 洛氏硬度(45N) | R45N | 78.5 |
熱學特性
| 項目 | 單位 | 氮化鋁 |
| 熱膨脹系數 | 10-6K-1 | 4.6 |
| 導熱系數(20℃) | W/mk | 170 |
| 熱震穩定性 | △T.℃ | 400 |
| 比熱容 | J/g·k | 0.72 |
| 最高使用溫度(有氧) | ℃ | 1000 |
電氣特性
| 項目 | 單位 | 氮化鋁 |
| 20℃體積電阻 | Ωcm | 2.75*1014 |
| 介電強度(絕緣強度) | KV/mm | 17 |
| 1MHZ 介電常數 室溫 | \ | 8.38 |
| 兆赫介質損耗角(1MHz 20℃) | tanδ | 3*10-3 |
*數值為典型材料特性，實際數值可能因產品配置和制造工藝的不同而有所變化。
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